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晶振系列

首頁(yè)應用案例網(wǎng)絡(luò )設備NDK晶振,貼片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英諧振器

    NDK晶振,貼片晶振,NX3225GA晶振,NDK石英諧振器

  • 規格型號:11577488
  • 頻率:9.840MHZ-50.000MHZ
  • 尺寸:3.2*2.5*075mm 詳細資料請查看PDF
  • PDF
  • 產(chǎn)品描述:廣泛應用于照相機,藍牙耳機,音響,平板電腦,錄像機,收錄機,無(wú)線(xiàn)充電等小型化電子數碼產(chǎn)品。

NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器
參數:頻率范圍9.840MHZ-50.000MHZ
激勵電平: 10μW (Max. 200μW )
負載電容: 8PF
工作溫度: -40℃~+85℃
保存溫度: -40℃~+85℃
精度 +/-20ppm
等效串聯(lián)電阻:Refer to*1 
尺寸:小型化薄款3.2*2.5*0.75
應用:汽車(chē)電子領(lǐng)域,無(wú)線(xiàn)電話(huà),筆記本電腦,鍵盤(pán)鼠標,智能手機,衛星導航等產(chǎn)品。

       日本于2015年6月制定了公司治理準則,由此我們NDK迎來(lái)了兩位外部董事。加大強化相關(guān)經(jīng)營(yíng)監察機能、遵守法律,確保說(shuō)明責任,迅速且適當地公布信息,履行環(huán)境保全等的社會(huì )責任,而從使我們能繼續成為所有股份持有者的各位所信任和尊敬的企業(yè)。
       在A(yíng)DAS(先進(jìn)駕駛輔助系統)所使用的車(chē)載相機和倒車(chē)雷達、遠程信息處理等用途,晶體元器件的需求也呈現增加的趨勢。因此,我們會(huì )開(kāi)發(fā)TCXO(溫補振蕩器)、ICXO(鐘用晶體振蕩器)、SAW器件等的車(chē)載用高信賴(lài)性產(chǎn)品并擴大其銷(xiāo)售。

        NDK晶振,NX3225GA晶振,3225晶振,NDK石英諧振器,從前面的料號可看出這是一款3.2*2.5*0.75mm體積非常小的石英貼片晶振,并且有著(zhù)四個(gè)腳表面陶瓷封裝的石英晶體,壓電陶瓷的用料可有效的控制溫度,在氣溫忽大忽小的時(shí)候能將溫度控制在標準的精度之內,擁有優(yōu)良的耐高溫特性,所以NX3225GA晶振常常用于汽車(chē)電子開(kāi)發(fā)領(lǐng)域,所以也叫汽車(chē)電子用晶振。

NDK晶振型號 NX3225GA晶振,進(jìn)口貼片晶振
頻率范圍 9.840MHZ~50MHZ
頻率公差(25℃) ±20 ppm的,可指定
頻率穩定度超過(guò)工作溫度范圍 ±30 ppm的,可指定
操作溫度范圍 -40-+ 85℃,可指定
并聯(lián)電容CO 5pF Max.
驅動(dòng)電平 1-200μW(μW100典型)
負載電容 8 pF,可指定
老化(25℃) ±3 ppm /年最大。
存儲溫度范圍 -40-+85℃



1.操作
請勿用鑷子或任何堅硬的工具,夾具直接接觸石英晶振的表面。
2.使用環(huán)境(溫度和濕度)
請在規定的溫度范圍內使用產(chǎn)品。這個(gè)溫度涉及本體的和季節變化的溫度。在高濕環(huán)境下,會(huì )由于凝露引起故障。請避免凝露的產(chǎn)生。 
3.激勵功率
石英晶體諧振器上施加過(guò)多驅動(dòng)力,會(huì )導致產(chǎn)品特性受到損害或破壞。電路設計必須能夠維持適當的激勵功率 (請參閱“激勵功率”章節內容)。
4.負極電阻
除非振蕩回路中分配足夠多的負極電阻,否則振蕩或振蕩啟動(dòng)時(shí)間可能會(huì )增加(請參閱“關(guān)于振蕩”章節內容)。
5.負載電容
振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差。試圖通過(guò)強力調整,可能只會(huì )導致不正常的振蕩。在使用之前,請指明該振動(dòng)電路的負載電容(請參閱“負載電容”章節內容)。


1. 驅動(dòng)能力
驅動(dòng)能力說(shuō)明振蕩晶體單元所需電功率,其計算公式如下:
驅動(dòng)能力 (P) = i2.Re
其中i表示經(jīng)過(guò)晶體單元的電流,
Re表示晶體單元的有效電阻,而且 Re=R1(1+Co/CL)2。

 
2.    振蕩補償
除非在振蕩電路中提供足夠的負極電阻,否則會(huì )增加振蕩啟動(dòng)時(shí)間,或不發(fā)生振蕩。為避免該情況發(fā)生,請在電路設計時(shí)提供足夠的負極電阻。

注意事項-振蕩補償.png
3. 負載電容
如果振蕩電路中負載電容的不同,可能導致振蕩頻率與設計頻率之間產(chǎn)生偏差,如下圖所示。電路中的負載電容的近似表達式 CL≒CG × CD / (CG+CD) + CS。
其中CS表示電路的雜散電容。
電容特征.png
頻率和負載電容特征圖器
振蕩回路參數設置參考.png
                           振蕩回路參數設置參考

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